三星64层NAND闪存宣布量产[CSIA]
 
 
三星64层NAND闪存宣布量产
更新时间:2017-6-16 15:13:08  
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三星电子15日宣布,最新64层256GBV-NAND闪存已进入量产,与此同时,三星还将扩展包含服务器、PC与行动装置的储存解决方案。
  
  64层V-NAND闪存用称为第四代V-NAND芯片,南韩ITtimes.com报导指出,三星为稳固领先优势,打算于年底把第四代芯片占每月生产比重拉高至五成以上。
  
  其实,三星今年1月已先为某关键客户,打造第一颗内含64层V-NAND芯片的固态硬盘(SSD),自此之后,三星持续朝行动与消费型储存市场开发新应用,务求与IT产业同步化。
  
  三星64层V-NAND闪存传输速度达每秒1Gb,市面上同类型内存产品中无人能出其右。若与48层产品相比,64层闪存的省电效能约高出三成,可靠性则增加约两城。
  
  三星目前是NAND龙头,2016年市占率为36%,在第四代NAND芯片量产后,三星可能陆续调降第二、三代芯片价格,除可进一步扩大市占外,还将对美光、东芝、WesternDigital等同业造成降价压力。
  
 
来源:中国电子报、电子信息产业网        
 
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